参数资料
型号: MTD6N15T4GV
厂商: ON Semiconductor
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描述: IC NFET 150V 6A 300MO DPAK
标准包装: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 带卷 (TR)
MTD6N15
2000
16
1600
T J = 25 ° C
V GS = 0
12
T J = 25 ° C
I D = 6 A
75 V
120 V
1200
800
8
V DS = 50 V
400
V DS = 0
C iss
4
C oss
0
15
10
5
0
5
10
15
20
25
C rss
30
35
0
0
4
8
12
16
20
V GS
V DS
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Capacitance Variation
Figure 12. Gate Charge versus
Gate ? To ? Source Voltage
RESISTIVE SWITCHING
V DD
t on
t off
R L
V out
t d(on)
OUTPUT, V out
t r
90%
t d(off)
t f
90%
V in
INVERTED
PULSE GENERATOR
z = 50 W
DUT
10%
R gen
50 W
50 W
INPUT, V in
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 13. Switching Test Circuit
http://onsemi.com
5
Figure 14. Switching Waveforms
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PDF描述
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