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参数资料
| 型号： | MTD6N15T4GV |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NFET 150V 6A 300MO DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MTD6N15
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
24
3.6
20
10 V
9V
T J = 25 ° C
3.2
V DS = V GS
I D = 1 mA
16
12
8V
2.8
8
4
7V
6V
5V
2.4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
- 50
0 50 100
150
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. On ? Region Characteristics
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Gate ? Threshold Voltage Variation
With Temperature
14
12
V DS = 10 V
T J = 25 ° C
2
1.6
V GS = 0 V
I D = 0.25 mA
10
8
6
4
100 ° C
1.2
0.8
2
- 55 ° C
0.4
0
4 6 8
10
0
- 50
0
50 100 150
200
0.30
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Transfer Characteristics
2
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. Breakdown Voltage Variation
With Temperature
0.25
0.20
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
25 ° C
1.6
1.2
V GS = 10 V
I D = 3 A
0.15
0.10
0.05
- 55 ° C
0.8
0.4
0
0
4
8
12
16
20
0
- 50
0
50 100 150
200
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 6. On ? Resistance versus Drain Current
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. On ? Resistance Variation
With Temperature
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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