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参数资料
| 型号： | MTM23110 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 4000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SMINI3-G1, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 424K |
| 代理商： | MTM23110 |
MTM23110
2
SJF00048BED
PD Ta
ID VGS
RDS(on) VGS
RDS(on) ID
Ciss , Crss , Coss VDS
0
40
80
120
160
0
200
400
600
MTM23110_ PD-Ta
Ceramic substrate at
40 mm × 38 mm × 0.1 mm
Without a heat sink
Drain
power
dissipation
P D
(mW)
Ambient temperature Ta (°C)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
103
101
10
103
MTM23110_ ID-VGS
VDS = 6.0 V
Drain
current
I D
(mA)
Gate-source voltage VGS (V)
1
3
5
102
1
101
ID = 1.0 A
MTM23110_
RDS(on)-VGS
Drain-source
ON
resistance
R
DS(on)
(
)
Gate-source voltage VGS (V)
102
101
1
102
1
101
VGS = 1.8 V
4.0 V
2.5 V
MTM23110_
RDS(on)-ID
Drain-source
ON
resistance
R
DS(on)
(
)
Drain current ID (A)
0
4
8
12
0
400
800
1200
1600
Ciss
Crss
Coss
MTM23110_
Ciss , Crss , Coss -VDS
Drain-source voltage VDS (V)
Sh
ort
-ci
rcu
iti
np
ut
ca
pa
cit
an
ce
(C
om
mo
ns
ou
rce
)C
iss
,
Re
ve
rse
tra
ns
fer
ca
pa
cit
an
ce
(C
om
mo
ns
ou
rce
)C
rss
,
Sh
ort
-ci
rcu
ito
utp
ut
ca
pa
cit
an
ce
(C
om
mo
ns
ou
rce
)C
os
s(
pF
)
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