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参数资料
| 型号： | MTM76111 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 4000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, WSMINI6-F1, 6 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MTM76111 |
SJF00089EED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Publication date: July 2010
1
MTM76111
Silicon P-channel MOS FET
For load switch circuits
Overview
MTM76111 is the low on-resistance P-channel MOS FET designed for load
switch circuits.
Features
Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 26 mW (VGS = –4.5 V)
Low drive voltage: 1.8 V drive
Small size package: WSMini6-F1-B
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.
Eco-friendly Halogen-free package
Packaging
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Drain-source surrender voltage
VDSS
–12
V
Gate-source surrender voltage
VGSS
±
8
V
Drain current
ID
–4.0
A
Peak drain current
IDP
–20
A
Power dissipation *
PD
700
mW
Channel temperature
Tch
150
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°
C
Note) *: Measuring on ceramic substrate at 40 mm × 38 mm × 0.2 mm
Absolute maximum rating without heat sink for PD is 150 mW
Package
Code
WSMini6-F1-B
Pin Name
1: Drain
4: Source
2: Drain
5: Drain
3: Gate
6: Drain
Marking Symbol: GS
Internal Connection
3
(G)
(S)
4
1
(D)
2
(D)
6
(D)
5
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PDF描述 |
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