- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录96094 > MTM76111 (PANASONIC CORP) 4000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MTM76111 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 4000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, WSMINI6-F1, 6 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MTM76111 |
SJF00089EED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MTM76111
4
WSMini6-F1-B
Unit: mm
+0.05
0.02
2.00 ±0.10
1.30 ±0.10
(0.65)
2.
10
±0
.1
0
(0
.2
0)
1.
70
±0
.1
0
0.
70
±0
.1
0
6-0.20
+0.05
0.03
0.13
6
5
4
1
2
3
0
to
0.
10
5°
(0
.1
5)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTM76320 | 1900 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTM76420 | 1200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTM76520 | 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTM76720 | 2000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTM86124 | 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTM761110LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTM761230LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTM763200LBF | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| MTM763250LBF | 制造商:Panasonic Industrial Devices 功能描述:MOSF N/P 20V 1.7A SC113DA |
| MTM78E2B0LBF | 功能描述:MOSFET NCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。