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参数资料
| 型号： | MTP10N10E |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FETs 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM |
| 中文描述： | 10 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | MTP10N10E |
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 16. Capacitance Variation
C
VGS
VDS
0
20
Ciss
Coss
Crss
Ciss
1250
1000
750
500
30
20
10
0
10
Figure 17. Gate Charge versus
Gate–To–Source Voltage
QG, TOTAL GATE CHARGE (nC)
10
0
0
4
8
6
4
2
8
12
16
20
250
Figure 18. Gate Charge Test Circuit
Vin
15 V
100 k
47 k
2N3904
2N3904
1 mA
+18 V
VDD
10 V
100 k
0.1
μ
F
100
FERRITE
BEAD
DUT
SAME
DEVICE TYPE
AS DUT
Vin = 15 Vpk; PULSE WIDTH
≤
100
μ
s, DUTY CYCLE
≤
10%
TJ = 25
°
C
47 k
VDS = 30 V
50 V
V
80 V
TJ = 25
°
C
ID = RATED ID
Coss
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PDF描述 |
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参数描述 |
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