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参数资料
| 型号： | MUBW15-12A6K |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E1 |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.4V @ 15V，15A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 19A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 600µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 0.6nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E1 |
| 供应商设备封装： | E1 |
MUBW15-12A6K
80
200
10 3
A s
I t
I F
A
60
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
A
150
I FSM
T VJ = 45°C
2
2
40
20
100
50
50Hz, 80% V RRM
T VJ = 150°C
T VJ = 45°C
T VJ = 150°C
0
0.0
0.6
1.2
V F
1.8 V
2.4
0
0.001
0.01
0.1
t
s
1
10 2
1
2
3
7 8
4 5 6 ms 9 10
t
160
W
120
P tot
80
40
Fig. Forward current versus
voltage drop per diode
Fig. 2 Surge overload current
R thA :
0.2 K/W
0.5 K/W
0.8 K/W
1.5 K/W
3 K/W
5 K/W
8 K/W
100
A
I D(AV) 80
60
40
20
Fig. 3 I 2 t versus time per diode
0
0
20
40
60
80
A
0
20
40
60
80 100 120 140 °C
0
0
20 40 60 80 100 120 140 °C
1.6
K/W
1.2
Z thJC
0.8
0.4
I D(AV)M
Fig. 4 Power dissipation versus direct output current
and ambient temperature, sin 80°
T amb
T C
Fig. 5 Max. forward current
vs. case temperature
0.0
0.001
0.01
0.1
1
MUBW15-12A6K
s 10
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
t
2007 3a
6-9
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参数描述 |
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| MUBW20-06A6K | 功能描述:分立半导体模块 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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