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参数资料
| 型号： | MUBW15-12A6K |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E1 |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.4V @ 15V，15A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 19A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 600µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 0.6nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E1 |
| 供应商设备封装： | E1 |
MUBW15-12A6K
I C
A
25
20
V GE = 15V
I F
30
A
25
20
T VJ = 125°C
15
T VJ = 25°C
15
10
5
T VJ = 125°C
10
5
T VJ = 25°C
0
0
1
2
3
4
5
V
6
0
0
1
2
3
V
4
V CE
Fig. 9 Typ. output characteristics
V F
Fig. 20 Typ. forward characteristics
of free wheeling diode
4
400
1.2
600
E off
mJ
3
2
1
V CE = 600V
V GE = ±15V
R G = 82
T VJ = 125°C
t d(off)
ns
300 t
200
100
E off
mJ
0.8
0.4
E off
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 20A
T VJ = 125°C
t d(off)
ns
400
200
t
0
0
E off
5
10
15
t f
20 A
0
0.0
0
20
40
60
80
100
t f
120
0
10
I C
Fig. 2 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
R G
Fig. 22 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
K/W
diode
Z thJC
1
IGBT
10000
R
0.1
single pulse
1000
0.01
0.001
0.01
0.1
1
s 10
100
0
25
50
75
100
MUBW15-12A6K
125 C 150
t
Fig. 23 Typ. transient thermal impedance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
T
Fig. 24 Typ. thermistor resistance
versus temperature
2007 3a
9-9
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