参数资料
型号: MUBW15-12A6K
厂商: IXYS
文件页数: 7/9页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E1
标准包装: 10
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 3.4V @ 15V,15A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 19A
电流 - 集电极截止(最大): 600µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 0.6nF @ 25V
功率 - 最大: 90W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E1
供应商设备封装: E1
MUBW15-12A6K
I C
30
A
25
20
V GE = 17 V
15 V
13 V
I C
30
A
25
20
V GE = 17 V
15 V
13 V
15
T VJ = 25°C
15
T VJ = 125°C
10
5
11 V
9V
10
5
11 V
9V
0
0
1
2
3
4
5
6 V 7
0
0
1
2
3
4
5
6 V 7
V CE
V CE
30
Fig. 7
Typ. output characteristics
50
Fig. 8
Typ. output characteristics
40
I C
A
25
20
15
I F
A
30
T VJ = 125°C
10
5
T VJ = 125° C
T VJ = 25°C
20
10
T VJ = 25°C
0
4
6
8
10
12
V CE = 20V
14 V 16
0
0
1
2
3
V
4
V GE
V F
20
Fig. 9
Typ. transfer characteristics
50
Fig.  0 Typ. forward characteristics
of free wheeling diode
200
V GE
V
15
I RM
A
40
30
t rr
ns
160
120
t rr
10
20
80
40
0
5
0
0
10
20
30
40
V CE = 600V
I C = 10A
50
nC 60
10
0
0
I RM
200
400
600
T VJ = 125°C
V R = 600 V
I F = 15 A
MUBW1012A7
A/
800 s 1000
Q G
Fig.    Typ. turn on gate charge
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
-di/dt
Fig.  2 Typ. turn off characteristics
of free wheeling diode
2007   3a
7-9
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