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参数资料
| 型号： | MUBW15-12A6K |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E1 |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.4V @ 15V，15A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 19A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 600µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 0.6nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E1 |
| 供应商设备封装： | E1 |
MUBW15-12A6K
E on
4
mJ
3
V CE = 600V
V GE = ±15V
R G = 82
T VJ = 125°C
80
ns
60
t
E off
4
mJ
3
V CE = 600V
t d(off)
400
ns
300
t
2
1
E on
t d(on)
t r
40
20
2
1
V GE = ±15V
R G = 82
T VJ = 125°C
E off
t f
200
100
0
0
5
10
15
20 A
0
0
0
5
10
15
20 A
0
I C
Fig. 3 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 4 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
2.0
mJ
E on 1.5
1.0
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 10A
T VJ = 125°C
E on
t d(on)
t r
100
ns
75
50
t
E off
1.2
mJ
0.8
E off
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 10A
t d(off)
600
ns
400
t
0.5
25
0.4
T VJ = 125°C
200
0.0
0
20
40
60
80
100
120
0
140
0.0
0
20
40
60
80
100
t f
120
0
140
R G
R G
Fig. 5 Typ. turn on energy and switching
Fig. 6
Typ. turn off energy and switching
30
times versus gate resistor
10
times versus gate resistor
I CM
A
25
20
K/W
Z thJC
1
diode
IGBT
15
10
5
R G = 82
0.1
single pulse
0
0
T VJ = 125°C
200 400
600
800 1000 1200 1400 V
0.01
0.001
0.01
0.1
1
MUBW 15-12A6K
s 10
V CE
Fig. 7 Reverse biased safe operating area
RBSOA
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
t
Fig. 8 Typ. transient thermal impedance
2007 3a
8-9
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