- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录628 > MUBW25-12A7 (IXYS)CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.9VCE Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MUBW25-12A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.9VCE |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 900µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 1.65nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
| 其它名称： | MUBW2512A7 |
MUBW 25-12 A7
Temperature Sensor NTC
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
R 25
B 25/50
T = 25°C
4.75
5.0
3375
5.25 k ?
K
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T JM
T stg
V ISOL
M d
Operating
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M5)
-40...+125
150
-40...+125
2500
2.7 - 3.3
° C
° C
° C
V~
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
R pin-chip
5
m ?
d S
d A
R thCH
Weight
Creepage distance on surface
Strike distance in air
with heatsink compound
6
6
0.02
180
mm
mm
K/W
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
4-8
? 2004 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUBW25-12T7 | MODULE IGBT CBI E2 |
| MUBW30-06A7 | MODULE IGBT CBI E2 |
| MUBW30-12A6 | MODULE IGBT CBI E1 |
| MUBW35-06A6 | MODULE IGBT CBI E1 |
| MUBW35-12A7 | MODULE IGBT CBI E2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUBW25-12T7 | 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW30-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW30-12A6 | 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| MUBW30-12A6K | 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW30-12E6K | 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。