参数资料
型号: MUBW25-12A7
厂商: IXYS
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描述: CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.9VCE
标准包装: 6
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.7V @ 15V,25A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 50A
电流 - 集电极截止(最大): 900µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 1.65nF @ 25V
功率 - 最大: 225W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E2
供应商设备封装: E2
其它名称: MUBW2512A7
MUBW 25-12 A7
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
15
V CE = 600V
150
12
600
E on
mJ
10
V GE = ±15V
R G = 47 ?
T VJ = 125°C
ns
100 t
E off
mJ
8
V CE = 600V
V GE = ±15V
t d(off)
ns
400 t
t d(on)
R G = 47 ?
T VJ = 125°C
E off
5
t r
50
4
200
E on
t f
0
0
0
0
0
20
40
A
60
0
20
40
A
60
I C
Fig. 13 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 14 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
4
mJ
t d(on)
160
ns
8
mJ
t d(off)
800
ns
E on
3
E on
120
t
E off
6
E off
600
t
2
t r
80
4
400
V CE = 600V
I C
1
V CE = 600V
V GE = ±15V
= 25A
40
2
V GE = ±15V
I C = 25
T VJ = 125°C
200
0
0
20
40
60
T VJ = 125°C
0
80 ? 100
0
0
20
40
60
80
t f
0
? 100
60
R G
Fig. 15 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
10
R G
Fig.16 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
K/W
diode
I CM
A
40
Z thJC
1
IGBT
0.1
0.01
20
single pulse
R G = 47 ?
T VJ = 125°C
0.001
0
0.0001
MUBW2512A7
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 V
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
Fig. 17 Reverse biased safe operating area
RBSOA
? 2004 IXYS All rights reserved
t
Fig. 18 Typ. transient thermal impedance
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