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参数资料
| 型号： | MUBW25-12A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.9VCE |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 900µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 1.65nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
| 其它名称： | MUBW2512A7 |
MUBW 25-12 A7
Input Rectifier Bridge D11 - D16
50
100
10 3
A s
A
A
50Hz, 80% V RRM
2
I F
40
T VJ = 125°C
80
I FSM
T VJ = 45°C
I 2 t
T VJ = 25°C
30
60
10 2
T VJ = 45°C
20
10
0
40
20
0
T VJ = 150°C
10 1
T VJ = 150°C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6 V
2.0
0.001
0.01
0.1
s
1
1
2
3
4 5 6 7 8 ms 9 10
V F
Fig. 1 Forward current versus voltage
drop per diode
500
W
400
P tot
300
200
t
Fig. 2 Surge overload current
R thA :
0.05 K/W
0.15 K/W
0.3 K/W
0.5 K/W
1 K/W
2 K/W
t
Fig. 3 I 2 t versus time per diode
60
A
50
I d(AV)
40
30
100
0
5 K/W
20
10
0
0
20
40
60
80
A
0
20
40
60
80 100 120 140 °C
0
20 40 60 80 100 120 140 °C
I d(AV)M
T amb
T C
Fig. 4
Power dissipation versus direct output current and ambient temperature, sin 180°
Fig. 5 Max. forward current versus
case temperature
1.6
K/W
1.2
Z thJC
0.8
0.4
0.0
DWFN9-16
0.001
0.01
0.1
1
s
10
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case
? 2004 IXYS All rights reserved
t
5-8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MUBW30-12E6K | 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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