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参数资料
| 型号： | MUBW75-12T8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.15V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 110A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 5.35nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 355W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MUBW 75-12 T8
Input Rectifier Bridge D11 - D16
A
A s
150
500
10 2 4
I t
120
400
I FSM
T VJ = 45°C
2
I F
90
300
T VJ = 45°C
[A]
60
T VJ = 125°C
200
T VJ = 150°C
10 3
T VJ = 150°C
30
T VJ = 25°C
100
5 6 7 ms 9 10
0
0.0
0.5
V F [V]
1.0
1.5
50Hz, 80% V RRM
0
0.001 0.01
0.1
t
s
1
10 2
1
2
3
4
t
8
Fig. Typ. forward current vs.
voltage drop per diode
A
450
160
400
W
350
P tot 300
250
200
150
100
50
R thA :
0.05 K/W
0.15 K/W
0.3 K/W
0.5 K/W
1 K/W
2 K/W
5 K/W
I d(AV) 140
120
100
80
60
40
20
A
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 0
I d(AV)M
20
40
60
80 100 120 140 C
T amb
0
0
20
40
60
80 100 120 140
T C
C
1
Z thJC
0.1
[K/W]
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
t [s]
Fig. 2 Transient thermal impedance junction to case
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2006 IXYS All rights reserved
5-7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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