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参数资料
| 型号： | MUN5135T3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | MUN5135T3 |
MUN5111T1 SERIES
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance — Junction to Ambient (surface mounted)
RθJA
833
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
–65 to +150
°C
Maximum Temperature for Soldering Purposes,
Time in Solder Bath
TL
260
10
°C
Sec
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Base Cutoff Current (VCB = 50 V, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
Collector–Emitter Cutoff Current (VCE = 50 V, IB = 0)
ICEO
—
500
nAdc
Emitter–Base Cutoff Current
MUN5111T1
(VEB = 6.0 V, IC = 0)
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
IEBO
—
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
mAdc
Collector–Base Breakdown Voltage (IC = 10 A, IE = 0)
V(BR)CBO
50
—
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage (3.) (IC = 2.0 mA, IB = 0)
V(BR)CEO
50
—
Vdc
ON CHARACTERISTICS (3.)
DC Current Gain
MUN5111T1
(VCE = 10 V, IC = 5.0 mA)
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
hFE
35
60
80
160
3.0
8.0
15
80
60
100
140
250
5.0
15
27
140
130
140
—
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mA, IE = 0.3 mA)
(IC = 10 mA, IB = 5 mA) MUN5130T1/MUN5131T1
(IC = 10 mA, IB = 1 mA) MUN5115T1/MUN5116T1/
MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1
VCE(sat)
—
0.25
Vdc
Output Voltage (on)
(VCC = 5.0 V, VB = 2.5 V, RL = 1.0 k)
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
(VCC = 5.0 V, VB = 3.5 V, RL = 1.0 k)
MUN5113T1
VOL
—
0.2
Vdc
3. Pulse Test: Pulse Width < 300
s, Duty Cycle < 2.0%
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