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参数资料
| 型号： | MURHB860CTT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 114K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 4A 600V D2PAK |
| 产品目录绘图： | Rectifier D2PAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MEGAHERTZ™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.8V @ 4A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 4A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MURHB860CTT4GOSDKR |
MURHB860CT
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Case
RJC
3.0
°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
RJA
50
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
(iF
= 4.0 A, T
C
= 150
°C)
(iF
= 4.0 A, T
C
= 25
°C)
vF
2.5
2.8
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)
(Rated DC Voltage, TC
= 150
°C)
(Rated DC Voltage, TC
= 25
°C)
iR
500
10
A
Maximum Reverse Recovery Time (IF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
trr
35
ns
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤2.0%
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PDF描述 |
|---|---|
| BAV74_D87Z | DIODE DUAL IN 50V 200MA SOT-23 |
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| A7SSG-5010G | DSUB CABL-AFM50G/ AE50G / AFM50G |
| TC428MJA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MURHD560T4 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MEGAHERTZ TM Power Rectifier |
| MURHD560T4_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MEGAHERTZ Power Rectifier |
| MURHD560T4_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MEGAHERTZ? Power Rectifier |
| MURHD560T4G | 功能描述:整流器 MHz FAST RECTIFIER 5A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURHD560W1T4 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MEGAHERTZ Power Rectifier |
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