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参数资料
| 型号： | MWI75-12A8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 125A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 5mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 5.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MWI 75-12A8
Circuit Diagram
13, 21
Outline Drawing
Product Marking
1
2
3
4
14, 20
5
6
7
8
9
10
11
12
19
17
15
DIMENSIONS IN MM (1 MM = 0.0394“)
Ordering
Part Name
Marking on Product
Delivering Mode Base Qty Ordering Code
Standard
MWI75-12A8
MWI75-12A8
Box
5
486787
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090220b
4-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| N-66A | TRANS 250VA 115V 2.17A CHASIS MT |
| ND412026 | DIODE MOD ISO DUAL 2000V 260A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI75-12A8T | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-12E8 | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-12T7T | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-12T8T | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI80-12T6K | 功能描述:分立半导体模块 80 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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