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参数资料
| 型号： | MWI75-12A8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 125A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 5mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 5.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MWI 75-12A8
250
V GE = 17 V
15 V
13 V
250
V GE = 17 V
15 V
200
200
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
13 V
I C 150
[A] 100
50
11 V
9V
I C 150
[A] 100
50
11 V
9V
0
0
1
2
V CE
3
[V]
4
5
0
0
1
2
V CE [V]
3
4
5
100
FIG. 1
TYP. OUTPUT CHARACTERISTICS
250
FIG. 2
TYP. OUTPUT CHARACTERISTICS
V CE = 20 V
80
200
I C
60
I F 150
T VJ = 125°C
[A] 40
T VJ = 125°C
[A] 100
20
T VJ = 25°C
50
T VJ = 25°C
0
4
5
6
7
V CE [V]
8
9
10
0
0
1
2
V F [V]
3
FIG. 3
TYP. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIG. 4
TYP. FORWARD CHARACTERISTICS
OF FREE WHEELING DIODE
20
15
V CE = 600 V
I C
= 100 A
320
240
200
t rr 150
V GE
[V]
10
I RM
[A]
160
T VJ = 125°C
V R = 600 V
I F = 100 A
t rr
100
[ns]
5
80
50
0
0
100
200
300
400
0
0
I RM
200
400
600
800
MWI75-12A8
0
1000
Q G [NC]
-di/dt [A/μS]
FIG. 5
TYP. TURN ON GATE CHARGE
FIG. 6
TYP. TURN OFF CHARACTERISTICS
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
OF FREE WHEELING DIODE
20090220b
5 - 6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MWI75-12E8 | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-12T7T | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-12T8T | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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