- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录629 > MWI75-12A8 (IXYS)MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MWI75-12A8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 125A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 5mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 5.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MWI 75-12A8
32
24
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 15 W
T VJ = 125°C
t D(ON)
8
6
20
15
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 15 W
T VJ = 125°C
E on
[mJ]
16
4
t
[ns]
E off
[mJ]
10
8
Eon
2
5
0
0
40
80
I C [A]
120
0
160
0
0
40
80
I C [A]
120
160
32
FIG. 7
TYP. TURN ON ENERGY AND SWITCHING
times versus collector current
8
15
FIG. 8
TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING
times versus collector current
t D(ON)
24
6
E on
[mJ]
16
4
t
[ns]
E off
[mJ]
10
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
I C = 75 A
V CE = 600 V
5
T VJ = 125°C
8
Eon
V GE = ±15 V
I C = 75 A
2
T VJ = 125°C
0
0
10
20
30
R G [ W ]
40
50
0
60
0
0
10
20
30 40
R G [ W ]
50
60
200
150
FIG. 9
TYP. TURN ON ENERGY AND SWITCHING
times versus gate resistor
1
0.1
FIG.10 TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING
times versus gate resistor
diode
IGBT
I CM
[A]
100
50
R G = 15 W
T VJ = 125°C
Z thJC
[K/W]
0.01
0.001
SINGLE PULSE
0
0
200
400
600
800 1000 1200 1400
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
MWI75-12A8
10
V CE [V]
FIG. 11 REVERSE BIASED SAFE OPERATING AREA RBSOA
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
t [s]
FIG. 12 TYP. TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
20090220b
6-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI75-12T7T | IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 |
| MWI75-12T8T | IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 |
| MWI80-12T6K | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
| N-66A | TRANS 250VA 115V 2.17A CHASIS MT |
| ND412026 | DIODE MOD ISO DUAL 2000V 260A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI75-12A8T | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-12E8 | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-12T7T | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-12T8T | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI80-12T6K | 功能描述:分立半导体模块 80 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。