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参数资料
| 型号： | MX0912B251YTRAY |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | METAL CERAMIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | MX0912B251YTRAY |
1997 Feb 19
8
Philips Semiconductors
Product specication
NPN microwave power transistor
MX0912B251Y
Fig.7 Input impedance as a function of frequency associated with optimum load impedance.
VCC = 50 V; Zo =5 ; PL = 235 W.
handbook, full pagewidth
MGL039
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
10
5
10
∞
0
0.2
0.5
1
2
5
10
+ j
j
1.215 GHz
0.960 GHz
Fig.8 Optimum load impedance as a function of frequency associated with input impedance.
VCC = 50 V; Zo =5 ; PL = 235 W.
handbook, full pagewidth
MGL040
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1.215 GHz
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