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参数资料
| 型号： | NAND01GR3B3BV1T |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件页数： | 16/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND01GR3B3BV1T |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 13. Random Data Input During Sequential Data Input
I/O
Address
Inputs
ai08664
Data Intput
80h
Cmd
Code
Address
Inputs
Data Input
85h
5 Add cycles
Main Area
Spare
Area
Col Add 1,2
Row Add 1,2,3
Cmd
Code
2 Add cycles
Main Area
Spare
Area
Col Add 1,2
RB
Busy
tBLBH2
(Program Busy time)
SR0
10h
70h
Confirm
Code
Read Status Register
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B3CV6 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
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| NAND08GW3B2CZC1 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GR3B3CZA1 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND02GR4B2BZB1 | 128M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NAND01GR3M0AZB5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR3M0AZC5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR3M0AZC5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR3M0BZB5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
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