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参数资料
| 型号： | NAND01GR3B3BV1T |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件页数： | 40/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND01GR3B3BV1T |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 25. Command Latch AC Waveforms
Figure 26. Address Latch AC Waveforms
Note: A fifth address cycle is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices.
ai08028
CL
E
W
AL
I/O
tCLHWL
tELWL
tWHCLL
tWHEH
tWLWH
tALLWL
tWHALH
Command
tDVWH
tWHDX
(CL Setup time)
(CL Hold time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(ALSetup time)
(AL Hold time)
(E Setup time)
(E Hold time)
ai08029
CL
E
W
AL
I/O
tWLWH
tELWL
tWLWL
tCLLWL
tWHWL
tALHWL
tDVWH
tWLWL
tWLWH
tWHWL
tWHDX
tWHALL
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tWHALL
Adrress
cycle 1
tWHALL
(AL Setup time)
(AL Hold time)
Adrress
cycle 4
Adrress
cycle 3
Adrress
cycle 2
(CL Setup time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(E Setup time)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NAND01GR3M0AZC5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR3M0AZC5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR3M0BZB5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
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