型号: | NAND08GR4B3AN6E |
厂商: | NUMONYX |
元件分类: | PROM |
英文描述: | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
封装: | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
文件页数: | 52/59页 |
文件大小: | 998K |
代理商: | NAND08GR4B3AN6E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
NAND128W4A2BN1E | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
NAND256R4A2AN6E | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
NAND256R4A2CV6F | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
NAND256W3A0AN6F | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
NAND512W3A0AN1T | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
NAND08GW3B2AN6E | 功能描述:闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
NAND08GW3B2AN6F | 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
NAND08GW3B2BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays |
NAND08GW3B2CN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
NAND08GW3B2CN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |