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参数资料
| 型号： | NAND256W3A0AN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 1/58页 |
| 文件大小： | 1406K |
| 代理商： | NAND256W3A0AN6F |
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August 2008
Rev 15
1
NAND128-A NAND256-A
128-Mbit or 256-Mbit, 528-byte/264-word page,
3 V, NAND flash memories
Features
■
High density NAND flash memories
– Up to 256-Mbit memory array
– Up to 32-Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
●
NAND interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/ data
– Pinout compatibility for all densities
■
Supply voltage
–VDD = 2.7 to 3.6 V
■
Page size
– x8 device: (512 + 16 spare) bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) words
■
Block size
– x8 device: (16 K + 512 spare) bytes
– x16 device: (8 K + 256 spare) words
■
Page read/program
– Random access: 12 s (max)
– Sequential access: 50 ns (min)
– Page program time: 200 s (typ)
■
Copy back program mode
– Fast page copy without external buffering
■
Fast block erase
– Block erase time: 2 ms (typical)
■
Status register
■
Electronic signature
■
Chip enable ‘don’t care’
– Simple interface with microcontroller
■
Serial number option
■
Hardware data protection
– Program/erase locked during power
transitions
■
Data integrity
– 100,000 program/erase cycles
– 10 years data retention
■
RoHS compliance
– Lead-free components are compliant with
the RoHS directive
■
Development tools
– Error correction code software and
hardware models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– File system OS native reference software
– Hardware simulation models
TSOP48 12 x 20 mm
FBGA
VFBGA55 8 x 10 x 1 mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3A0AN1T | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3A0AN6T | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3A0BZB1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512W3A2AZB1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND01GW3A3AZA1T | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND256W3A0AZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 2.7V TO 3.6V 256MBIT 32MX8 12US 55VFBGA - Trays |
| NAND256W3A0AZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 2.7V TO 3.6V 256MBIT 32MX8 12US 55VFBGA - Tape and Reel |
| NAND256W3A0BE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND256W3A0BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND256W3A0BN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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