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参数资料
| 型号： | NAND256W3A0AN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 13/58页 |
| 文件大小： | 1406K |
| 代理商： | NAND256W3A0AN6F |
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Bus operations
NAND128-A, NAND256-A
Table 7.
Address insertion, x16 devices(1)(2)(3)
1.
A8 is ’don’t care’ in x16 devices.
2.
Any additional address input cycles are ignored.
3.
The 01h command is not used in x16 devices.
Bus
Cycle
I/O8-
I/O15
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
1st
X
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
2nd
X
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
3rd
X
A24
A23
A22
A21
A20
A19
A18
A17
Table 8.
Address definitions
Address
Definition
A0 - A7
Column address
A9 - A26
Page address
A9 - A13
Address in block
A14 - A26
Block address
A8
A8 is set Low or High by the 00h or 01h command, and is ’don’t care’ in x16 devices
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3A0AN1T | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3A0AN6T | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3A0BZB1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512W3A2AZB1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND01GW3A3AZA1T | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND256W3A0AZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 2.7V TO 3.6V 256MBIT 32MX8 12US 55VFBGA - Trays |
| NAND256W3A0AZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 2.7V TO 3.6V 256MBIT 32MX8 12US 55VFBGA - Tape and Reel |
| NAND256W3A0BE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND256W3A0BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND256W3A0BN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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