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参数资料
| 型号： | NAND256W3A0AN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 53/58页 |
| 文件大小： | 1406K |
| 代理商： | NAND256W3A0AN6F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页当前第53页第54页第55页第56页第57页第58页
NAND128-A, NAND256-A
Revision history
57/58
13-Dec-2004
10
Rref parameter added to the description of the family clarified in the
25-Feb-2005
11
WSOP48 replaced with USOP48 package,
VFBGA63 (8.5 x 15 x 1mm) replaced with VFBGA63 (9 x 11 x 1mm)
package,
TFBGA63 (8.5 x 15 x 1mm) replaced with TFBGA63 (9 x 11 x 1.2mm)
package.
Changes to Table 20: AC characteristics for operations.
23-June-2005
12
tEHBH, tEHEL, tRHBL removed throughout document. TFBGA63 and TFBGA55
packages removed throughout document. Sequential row read removed
throughout document.
characteristics measurement added.
signature AC waveform modified.
09-Aug-2005
13
Note added to Figure 3: TSOP48 connections, x8 devices and Figure 4:
TSOP48 connections, x16 devices regarding the USOP package.
20-Jun-2008
14
Removed all information pertaining to the 512-Mbit and 1-Gbit devices.
Applied Numonyx branding.
13-Aug-2008
15
Removed all the information pertaining the 1.8 V devices (VDD = 1.7 to
1.95 V) and the USOP48 and VFBGA63 packages. Added the sequential
row read option throughout the document.
Table 24.
Document revision history (continued)
Date
Version
Revision details
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3A0AN1T | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3A0AN6T | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3A0BZB1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512W3A2AZB1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND01GW3A3AZA1T | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND256W3A0AZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 2.7V TO 3.6V 256MBIT 32MX8 12US 55VFBGA - Trays |
| NAND256W3A0AZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 2.7V TO 3.6V 256MBIT 32MX8 12US 55VFBGA - Tape and Reel |
| NAND256W3A0BE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND256W3A0BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND256W3A0BN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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