参数资料
型号: NAND512R3A2CN1F
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: PROM
英文描述: 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
封装: 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件页数: 2/57页
文件大小: 916K
代理商: NAND512R3A2CN1F
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
10/57
Figure 4. TSOP48 and USOP48 Connections,
x8 devices
Figure 5. TSOP48 and USOP48 Connections,
x16 devices
I/O3
I/O2
I/O6
R
RB
NC
I/O4
I/O7
AI07585B
NAND Flash
(x8)
12
1
13
24
25
36
37
48
E
I/O1
NC
WP
W
NC
VSS
VDD
AL
NC
CL
NC
I/O5
NC
I/O0
NC
VDD
NC
VSS
NC
I/O3
I/O9
I/O2
I/O6
R
RB
NC
I/O14
I/O12
I/O10
I/O4
I/O7
AI07559B
NAND Flash
(x16)
12
1
13
24
25
36
37
48
I/O8
E
I/O1
I/O11
NC
WP
W
NC
VSS
VDD
AL
NC
CL
NC
I/O13
I/O15
I/O5
VSS
NC
VSS
I/O0
NC
VDD
相关PDF资料
PDF描述
NAND512R3A2AV1E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512R3A0AZB6F 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND512R3A2AZB6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND01GW3A0CZB1F 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GW3A2AN1 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
相关代理商/技术参数
参数描述
NAND512R3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
NAND512R3A2CZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R
NAND512R3A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512R3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR)
NAND512R3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film