- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189002 > NAND512R3A2CN1F (STMICROELECTRONICS) 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND512R3A2CN1F |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 41/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND512R3A2CN1F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页当前第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
46/57
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics
teristics for the Ready/Busy signal. The value re-
quired for the resistor RP can be calculated using
the following equation:
So,
where IL is the sum of the input currents of all the
devices tied to the Ready/Busy signal. RP max is
determined by the maximum value of tr.
Figure 34. Ready/Busy AC Waveform
Figure 35. Ready/Busy Load Circuit
Figure 36. Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal
Note: T = 25°C.
RPmin
VDDmax VOLmax
–
()
IOL
IL
+
------------------------------------------------------------
=
RPmin 1.8V
()
1.85V
3mA
IL
+
---------------------------
=
RPmin 3V
()
3.2V
8mA
IL
+
---------------------------
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
DEVICE
Open Drain Output
ibusy
ai07565B
RP (K)
12
3
4
100
300
200
t r
,t
f
(ns)
1
2
3
1.7
0.85
30
1.7
tr
tf
ibusy
0
400
4
RP (K)
12
3
4
100
300
200
1
2
3
ibusy
(mA)
2.4
1.2
0.8
0.6
100
200
300
400
3.6
0
400
4
VDD = 1.8V, CL = 30pF
VDD = 3.3V, CL = 100pF
t r
,t
f
(ns)
ibusy
(mA)
60
90
120
0.57
0.43
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2AV1E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512R3A0AZB6F | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512R3A2AZB6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND01GW3A0CZB1F | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GW3A2AN1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2CZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| NAND512R3A2CZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R |
| NAND512R3A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512R3A2DZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| NAND512R3A2SE06 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。