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参数资料
| 型号： | NAND99R3M2AZBB5E |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
| 封装： | 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107 |
| 文件页数： | 24/33页 |
| 文件大小： | 724K |
| 代理商： | NAND99R3M2AZBB5E |
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Package mechanical
NANDxxxxMx
Figure 13.
TFBGA152 14 × 14 x 1.1 mm - 2R 21 x 21 , 0.65 mm pitch, package outline
1.
Drawing is not to scale.
A2
A1
M3
ddd
D
E
e
b
FD
E1
D1
FE
A
Table 11.
TFBGA152 14 × 14 x 1.1 mm - 2R 21 x 21, 0.65 mm pitch, mechanical data
Symbol
Millimeters
Inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
–
–1.10–
–
0.043
A1
–0.32–
–
0.013
–
A2
0.63
–
0.025
–
b
0.42
0.37
0.47
0.016
0.015
0.018
ddd
–
0.10
–
0.004
D
14.00
13.90
14.10
0.551
0.547
0.555
D1
13.00
–
0.512
–
E
14.00
13.90
14.10
0.551
0.547
0.555
E1
13.00
–
0.512
–
e0.65
–
0.026
–
F0.50
–
0.020
–
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND99W3M1AZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2BZBA5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NANDBAR4N1BZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2CZBA5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NB06QSA035 | 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND99R3M2AZBB5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NAND99R3M4BZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NAND99R3M4BZBB5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NAND99R4M2AZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NAND99R4M4BZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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