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参数资料
| 型号： | NAND99R3M2AZBB5E |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
| 封装： | 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107 |
| 文件页数： | 32/33页 |
| 文件大小： | 724K |
| 代理商： | NAND99R3M2AZBB5E |
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Description
NANDxxxxMx
For detailed information on how to use the SDR/DDR LPSDRAM devices, refer to the
M65KA256AF, M65KA512AB, M65KC512AB, M65KC512AC, M65KG512AH,
M65KAxxxAJ, and M65KGxxxAJ datasheets available from your local Numonyx distributor.
Figure 1.
Logic diagram (TFBGA107, TFBGA137and TFBGA149 packages)
1.
See Table 4 for the description of the signals related to these packages.
2.
K is only available in MCP with DDR, LDQS, and UDQS are only available in MCP with DDR x16.
3.
DQM2 and DQM3 are only available in MCP with SDR/DDR x32.
NI3054
13
A0-A12
DQM0
K
VDDF
DQ0-DQ15, x16/x32
NANDxxxxMx
EF
WF
AL
2
BA0-BA1
RAS
R
VDDQD VDDD
RB
I/O8-I/O15, x16
VSSD
I/O0-I/O7, x8/x16
CL
KE
ED
WD
CAS
DQM2(3)
DQM1
DQM3(3)
WP
K(2)
DQ16-DQ31, x32
UDQS(2)
LDQS(2)
VSSF
VSSQD
8
16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND99W3M1AZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
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| NANDBAR4N1BZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2CZBA5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NB06QSA035 | 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND99R3M2AZBB5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NAND99R3M4BZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NAND99R3M4BZBB5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NAND99R4M2AZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NAND99R4M4BZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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