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参数资料
| 型号： | NAND99R3M2AZBB5E |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
| 封装： | 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107 |
| 文件页数： | 6/33页 |
| 文件大小： | 724K |
| 代理商： | NAND99R3M2AZBB5E |
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Description
NANDxxxxMx
Figure 5.
TFBGA149 connections (top view through package)
1.
Balls shaded in gray are only used for NAND + DDR devices.
2.
All voltage balls must be connected to the power supply (the internal connection is not guaranteed). All ground balls must
be connected to the ground.
AI13235c
DQM1
KE
A11
DQM0
H
A9
D
R
C
DQ4
A1
B
A3
A
8
7
6
5
4
3
2
1
G
F
E
DU
WP
A0
BA0
DQ6
CAS
WF
BA1
DU
VDDD
9
NC
A7
ED
M
L
K
J
DU
DQ15
NC
DQ13
VSSF
I/O0
I/O7
DU
VSSQD
DU
P
N
12
NC
RB
DQ2
NC
EF
I/O2
NC
CL
AL
DQ0
VSSD
I/O1
K
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
VDDD
DQ10
VSSD
DQ8
DU
WD
NC
RAS
VDDF
NC
A10
DU
A8
DU
NC
DU
NC
VDDQD
NC
DU
10
11
T
R
NC
DU
VSSD
VDDD
DU
NC
I/O6
I/O5
A6
A12
NC
A2
A5
I/O4
NC
A4
NC
VDDF
VSSF
NC
I/O3
NC
DQ11
DQ14
DQ12
DQ9
VDDQD
VSSD
K
UDQS
I/O9
I/O8
I/O15
I/O14
I/O13
I/O10
I/O12
I/O11
LDQS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND99W3M1AZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2BZBA5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NANDBAR4N1BZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2CZBA5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NB06QSA035 | 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND99R3M2AZBB5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NAND99R3M4BZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NAND99R3M4BZBB5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NAND99R4M2AZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NAND99R4M4BZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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