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参数资料
| 型号： | NCP1580DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 412kHz |
| 占空比： | 95% |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 13.2 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP1580
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (?40 ° C < T A < 85 ° C, ?40 ° C < T J < 125 ° C (Note 1), 4.5 V < V CC < 13.2 V, 4.5 V < BST < 26.5 V,
C TG = C BG = 1.0 nF, for min/max values unless otherwise noted.)
Characteristic
Input Voltage Range
Boost Voltage Range
Conditions
?
?
Min
4.5
4.5
Typ
?
?
Max
13.2
26.5
Unit
V
V
Supply Current
Quiescent Supply Current
V FB = 1.0 V, No Switching
?
1.0
1.75
mA
V CC = 13.2 V
Boost Quiescent Current
V FB = 1.0 V, No Switching
?
140
?
m A
Undervoltage Lockout
UVLO Threshold
UVLO Hysteresis
V CC Rising Edge
?
3.85
?
4.2
0.5
?
?
V
V
Switching Regulator
VFB Feedback Voltage,
Control Loop in Regulation
Oscillator Frequency
Ramp?Amplitude Voltage
Minimum Duty Cycle
Maximum Duty Cycle
Minimum Pulse Width
T A = 0 to 70 ° C
T A = ?40 to 85 ° C
?
?
?
?
Static Operating (Note 2)
0.788
0.784
288
?
?
85
50
0.800
?
350
1.1
0
90
100
0.812
0.816
412
?
?
95
150
V
kHz
V
%
%
nsec
Error Amplifier
DC Gain
Gain?Bandwidth Product
Slew Rate
FB Bias Current
(Note 2 )
(Note 2)
COMP_GND = 100 pF (Note 2)
VFB = 1 V (Note 2)
70
8.0
2.0
?
80
10
4.0
0.1
?
?
?
1.0
dB
MHz
V/ m S
m A
Gate Drivers
TG Rise Time
?
6.0
15
ns
TG Fall Time
BG Rise Time
BG Fall Time
TG Sink Current
TG Source Current
BG Sink Current
BG Source Current
PHASE falling to BG rising delay
Load = 1.0 nF
V CC = 8.0 V
V CC = 12 V
V TG = V BG = 2 2.0 0 V
(Note 2)
V CC = 12 V
?
?
?
?
?
?
?
?
15
6.0
6.0
1.0
1.5
1.5
1.5
30
30
15
15
?
?
?
?
90
ns
ns
ns
A
A
A
A
ns
PHASE < 2.0 V
BG > 2.0 V
BG falling to TG rising delay
V CC = 12 V
?
30
40
ns
BG < 2.0 V
TG > 2.0 V
Internal Soft?Start
Time
?
1.0
2.0
3.0
ms
Thermal Shutdown
Overtemperature Trip Point
(Note 2)
?
160
?
° C
1. Specifications to ?40 ° C are guaranteed via correlation using standard statistical quality control (SQC), not tested in production.
2. Guaranteed by design, not tested in production.
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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