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参数资料
| 型号： | NCP1650DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/31页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR PWR FACTOR PWM 16SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 模式： | 连续导电（CCM），间歇导电（DCM） |
| 频率 - 开关： | 100kHz |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP1650DR2OSDKR |
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NCP1650
MAXIMUM RATINGS (Maximum ratings are those that, if exceeded, may cause damage to the device. Electrical Characteristics are
not guaranteed over this range.)
Rating
Power Supply Voltage (Operating) Output (Pin 16)
Current Sense Inverting Input (Pin 12)
Reference Voltage (Pin 2)
Reference Filter (Pin 4)
All Other Inputs
Thermal Resistance, Junction--to--Air
0.1 in 2 Copper
0.5 in 2 Copper
Thermal Resistance, Junction--to--Lead (Pin 1) (Note 1)
Maximum Power Dissipation @ T A = 25 ? C
Operating Temperature Range
Non--operating Temperature Range
Symbol
V CC
V(I S --)
V ref
Ref fltr
θ JA
θ JL
P max
T J
T J
Value
--0.3 to 20
--0.5 to 1.0
--0.3 to 7.5
--0.3 to 5.0
--0.3 to 6.5
130
110
50
0.77
--40 to 125
--55 to 150
Unit
V
V
V
V
V
? C/W
? C/W
W
? C
? C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. θ JL is equivalent to Psi JL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise noted: V CC = 14 volts, C T = 470 pF, C 2 = 0.1 m F, T J = 25 ? C for typical
values. For min/max values T J is the applicable junction temperature.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OSCILLATOR
Frequency
Max Duty Cycle
Min Duty Cycle (Note 2)
Ramp Peak (Note 2)
Ramp Valley (Note 2)
Ramp Compensation Peak Voltage (Pin 13) (Note 2)
Ramp Compensation Current (Pin 13) (Note 2)
F osc
dmax
dmin
V Rpeak
V Rvalley
--
--
90
0.95
--
--
--
--
--
100
0.97
0
4.0
0.100
4.0
400
110
--
5.0
--
--
--
--
kHz
--
%
V
V
V
m A
VOLTAGE ERROR AMPLIFIER
Input Bias Current (Note 2)
Input Offset Voltage (Note 2)
Transconductance (T J = --40 ? C to + 125 ? C)
Output Source (V ref + 0.2 V)
Output Sink (V ref -- 0.2 V)
I bias
V IO
g m
I Osource
I Osink
--
--
90
10
--10
0.2
10
120
20
--20
0.6
--
150
--
--
m A
mV
umho
m A
m A
Boost Current (V ref = 4.0 volts nominal)
Source Boost Current Threshold (V pin6 /V ref )
Sink Boost Current Threshold (V pin6 /V ref )
Source Boost Current (V ref + 0.4 V)
Sink Boost Current (V ref -- 0.4 V)
V fb(boost+)
V fb(boost--)
I (boost+)
I (boost--)
--
--
150
--150
1.06
0.920
230
--260
--
--
--
--
V/V
V/V
m A
m A
2. Verified by design.
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCP1651DR2G | 功能描述:功率因数校正 IC Single Stage PFC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 开关频率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Reel |
| NCP1652ADR2G | 功能描述:功率因数校正 IC ANA PFC CONTROLLER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 开关频率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Reel |
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