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参数资料
| 型号： | NCP1650DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/31页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR PWR FACTOR PWM 16SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 模式： | 连续导电（CCM），间歇导电（DCM） |
| 频率 - 开关： | 100kHz |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP1650DR2OSDKR |
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NCP1650
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (Unless otherwise noted: V CC = 14 volts, C T = 470 pF, C 2 = 0.1 m F, T J = 25 ? C for
typical values. For min/max values T J is the applicable junction temperature.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
MAXIMUM POWER MULTIPLIER
(--Vpin12) × Vpin5
Multiplier Gain
K =
R 9 = 47 k, R 10 = 15 k
Vpin9
≈
4.0 × R9
R10
(T J = 25 ? C)
(T J = --40 ? C to +125 ? C)
k
12.1
11.8
12.8
12.8
13.3
13.3
1.0/V
Dynamic Input Voltage Range
Ac Input (p--input) (Note 4)
V max
--
3.75
--
V
AC INPUT (Pin 5)
Input Bias Current
(Total bias current for both multipliers and current compensation amplifier)
I INbias
--
0.01
--
m A
DRIVE OUTPUT
Source Resistance (80 mA Load)
Sink Resistance (--80 mA Load)
Rise Time (C L = 1.0 nF, 20% to 80%)
Fall Time (C L = 1.0 nF, 20% to 80%)
Output Voltage in UVLO Condition
R source
R sink
t r
t f
V O(UV)
4.0
3.0
--
--
--
8.0
8.0
50
50
1.0
15
15
--
--
10
Ω
Ω
ns
ns
mV
VOLTAGE REFERENCE
4.0 Volt Reference (Pin 6) (T J = 25 ? C)
4.0 Volt Regulation (T J = --55 ? C to 125 ? C)
2.5 Volt Reference (P max , Pin 9)
Buffered Output (I load = 0 mA)
Load Regulation (Buffered Output, Io = 0 to 10 mA, V CC > 10 V)
Vref
Vref
Vref 2.5
Vref OUT
DVref OUT
3.94
3.92
2.40
6.24
0
4.00
4.00
2.50
6.50
4.0
4.06
4.08
2.60
6.76
40
V
V
V
V
mV
UNDERVOLTAGE LOCKOUT/SHUTDOWN
UVLO Startup Threshold (V CC Increasing)
UVLO Hysteresis (Shutdown Voltage = V SU – V H )
Shutdown Startup Threshold (Pin 6) (V out Increasing)
Shutdown Hysteresis (Pin 6)
V SU
V H
V SD
V H
10
0.3
0.50
0.10
10.5
0.5
0.85
0.18
11
0.7
1.00
0.3
V
V
V
V
OVERVOLTAGE PROTECTION
Overvoltage Voltage Trip Point (V pin6 /V ref )
Overvoltage Voltage Differential (V OV -- V boost+ )
V OV
V OVdiff
106.5
--
108
50
109.5
--
V/V
mV
TOTAL DEVICE
Operational Bias Current (C L(Driver) = 1.0 nF, 100 kHz)
Bias Current in Undervoltage Mode
I BIAS
I Bshutdown
--
--
4.0
0.6
5.0
1.0
mA
mA
4. Verified by design.
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCP1651DR2G | 功能描述:功率因数校正 IC Single Stage PFC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 开关频率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Reel |
| NCP1652ADR2G | 功能描述:功率因数校正 IC ANA PFC CONTROLLER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 开关频率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Reel |
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