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参数资料
| 型号： | NCP5181DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 100ns |
| 电流 - 峰： | 1.4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP5181DR2GOSDKR |
NCP5181
V bulk
C1
V CC
V CC
GND
SG3526
MC34025
TL594
C3
GND
5
1
2
3
D4
U1
VBOOT
IN_HI DRV_HI
IN_LO Bridge
GND DRV_LO
8
7
6
4
C4
Q1
Q2
C5
T1
D1
D2
L1
C3
Out+
Out ?
GND
GND
NCP51XX
C6
GND
U2
GND
Figure 1. Typical Application
D3
R1
V CC
V CC
UV
DETECT
VBOOT
IN_HI
PULSE
TRIGGER
LEVEL
SHIFTER
S
R
Q
Q
DRV_HI
GND
IN_LO
GND
GND
GND
GND
DELAY
Figure 2. Detailed Block Diagram
http://onsemi.com
2
UV
DETECT
BRIDGE
V CC
DRV_LO
GND
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CB2016T1R0M | INDUCTOR POWER 1.0UH 1.1A 0806 |
| GCM10DCWI | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
| 100R12-457B | CABLE FLAT FLEX 12POS 1MM 18" |
| LK16083R3K-T | INDUCTOR 3.3UH 10% 0603 SMD |
| R1D12-2415-R | CONV DC/DC 1W 24VIN +/-15VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP5181DR2G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NCP Series 2.2 A 20 V 2 Ohm SMT High Voltage High and Low Side Driver - SOIC-8 |
| NCP5181PG | 功能描述:功率驱动器IC HV MOSFET DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5201 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Output DDR Power Controller |
| NCP5201/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Dual Output DDR Power Controller |
| NCP5201_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Output DDR Power Controller |
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