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参数资料
| 型号： | NCP5181DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 100ns |
| 电流 - 峰： | 1.4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP5181DR2GOSDKR |
NCP5181
TYPICAL CHARACTERISTICS
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t on High Side
t on Low Side
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t on High Side
t on Low Side
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TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. Turn ? on Propagation Delay vs.
Temperature
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SUPPLY VOLTAGE; V CC = V boot (V)
Figure 8. Turn ? on Propagation Delay vs. V CC
Voltage (V CC = V boot )
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t off High Side
t off Low Side
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t off High Side
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TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. Turn ? off Propagation Delay vs.
Temperature
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70
SUPPLY VOLTAGE; V CC = V boot (V)
Figure 10. Turn ? off Propagation Delay vs. V CC
Voltage (V CC = V boot )
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0
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50
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BRIDGE PIN VOLTAGE (V)
Figure 11. High Side Turn ? on Propagation
Delay vs. V BRIDGE Voltage
http://onsemi.com
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BRIDGE PIN VOLTAGE (V)
Figure 12. High Side Turn ? off Propagation
Delay vs. V BRIDGE Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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