参数资料
型号: NCP5181DR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 9/12页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
标准包装: 1
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 100ns
电流 - 峰: 1.4A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
其它名称: NCP5181DR2GOSDKR
NCP5181
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
80
60
40
20
100
80
60
40
20
0
? 40
? 20
0
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0
10
12
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16
18
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500
400
300
200
100
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 24. High Side Supply Current vs.
Temperature
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400
300
200
100
BOOTSTRAP SUPPLY VOLTAGE (V)
Figure 25. High Side Supply Current vs.
Bootstrap Supply Voltage
0
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0
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60
80
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0
10
12
14
16
18
20
10
9.8
9.6
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 26. V CC Supply Current vs.
Temperature
9.0
8.8
8.6
V CC , SUPPLY VOLTAGE (V)
Figure 27. V CC Supply Current vs. V CC Supply
Voltage
9.4
9.2 V boot UVLO stup th
9.0
8.8 V CC UVLO stup th
8.6
8.4
8.2
8.4
8.2
8.0
7.8
7.6
7.4
7.2
V CC UVLO shtdwn th
V boot UVLO shtdwn th
8.0
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
7.0
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 28. UVLO Start Up Voltage vs.
Temperature
http://onsemi.com
9
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 29. UVLO Shut Down Voltage vs.
Bootstrap Supply Voltage
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