参数资料
| 型号： | NCV33074DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ANA HI SPD/SS QUAD OA |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 4 |
| 转换速率： | 13 V/µs |
| 增益带宽积： | 4.5MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 100nA |
| 电压 - 输入偏移： | 1000µV |
| 电流 - 电源： | 1.9mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 44 V，±1.5 V ~ 22 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MC34071,2,4,A MC33071,2,4,A, NCV33072,4,A
http://onsemi.com
13
Figure 38. AC Coupled Noninverting Amplifier
Figure 39. AC Coupled Inverting Amplifier
(Typical Single Supply Applications VCC = 5.0 V)
Figure 40. DC Coupled Inverting Amplifier
Maximum Output Swing
Figure 41. Unity Gain Buffer TTL Driver
Figure 42. Active HighQ Notch Filter
Figure 43. Active Bandpass Filter
-
+
VCC
5.1 M
20 k
Cin
Vin
1.0 M
MC34071
VO
0
3.7 Vpp
RL
10 k
AV = 101
100 k
1.0 k
BW (-3.0 dB) = 45 kHz
CO
VO
36.6 mVpp
-
+
3.7 Vpp
0
VCC
VO
100 k
Cin
10 k
100 k
CO
RL
10 k
68 k
Vin 370 mVpp
AV = 10 BW (-3.0 dB) = 450 kHz
+
-
4.75 Vpp
VO
VCC
RL
100 k
91 k
5.1 k
1.0 M
AV = 10
Vin
2.63 V
5.1 k
BW (-3.0 dB) = 450 kHz
-
+
Vin
2.5 V
0
0 to 10,000 pF
Cable
TTL Gate
-
+
Vin
VO
16 k
C
0.01
32 k
2.0 R
2.0 C
0.02
fo = 1.0 kHz
fo =
Vin ≥ 0.2 Vdc
1
4
pRC
2.0 C
0.02
16 k
R
-
+
Vin
VO
VCC
R3
2.2 k
C
0.047
R2
5.6 k
0.4 VCC
R1
fo = 30 kHz
Ho = 10
Ho = 1.0
1.1 k
Given fo = Center Frequency
AO = Gain at Center Frequency
Choose Value fo, Q, Ao, C
R3 =
R1 =
R2 =
Q
R3
R1 R3
2Ho
4Q2R1-R3
pfoC
For less than 10% error from operational amplifier
Qofo
GBW
< 0.1
where fo and GBW are expressed in Hz.
C
0.047
MC34071
MC54/74XX
Then:
GBW = 4.5 MHz Typ.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NCV33152DR2G | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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