参数资料
| 型号： | NCV33074DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ANA HI SPD/SS QUAD OA |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 4 |
| 转换速率： | 13 V/µs |
| 增益带宽积： | 4.5MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 100nA |
| 电压 - 输入偏移： | 1000µV |
| 电流 - 电源： | 1.9mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 44 V，±1.5 V ~ 22 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MC34071,2,4,A MC33071,2,4,A, NCV33072,4,A
http://onsemi.com
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Figure 56. Second Order LowPass Active Filter
Figure 57. Second Order HighPass Active Filter
GENERAL ADDITIONAL APPLICATIONS INFORMATION VS = ±15.0 V
Figure 58. Fast Settling Inverter
Figure 59. Basic Inverting Amplifier
Figure 60. Basic Noninverting Amplifier
Figure 61. Unity Gain Buffer (AV = +1.0)
-
+
R1
R3
560
510
C2
C1
0.44
0.02
R2
5.6 k
MC34071
fo = 1.0 kHz
Ho = 10
Choose: fo, Ho, C2
Then: C1 = 2C2 (Ho+1)
R2 =
R3 =
R1 =
R2
Ho
Ho+1
4
pfoC2
R2
+
-
C2
0.05
C1
1.0
R1
46.1 k
R2
1.1 k
fo = 100 Hz
Ho = 20
Choose: fo, Ho, C1
Then: R1 =
R2 =
C2 =
Ho+0.5
pfoC1
2
pfoC1 (1/Ho+2)
C
Ho
C1
1.0
+
-
CF*
VO = 10 V
Step
RF
2.0 k
I
High Speed
DAC
*Optional Compensation
Uncompensated
Compensated
ts = 1.0 ms
to 1/2 LSB (8-Bits)
ts = 2.2 ms
to 1/2 LSB (12-Bits)
SR = 13 V/
ms
VO
+
-
R1
R2
VO
Vin
RL
BW (-3.0 dB) = GBW
=
SR = 13 V/
ms
VO
Vin
R2
R1
R1 +R2
R1
BW (-3.0 dB) = GBW
R1 +R2
R1
+
-
Vin
VO
R2
RL
R1
=
VO
Vin
R2
R1
1 +
+
-
Vin
VO
BWp = 200 kHz
VO = 20 Vpp
SR = 10 V/
ms
MC34071
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参数描述 |
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| NCV33152DR2G | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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