参数资料
| 型号： | NCV33074DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ANA HI SPD/SS QUAD OA |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 4 |
| 转换速率： | 13 V/µs |
| 增益带宽积： | 4.5MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 100nA |
| 电压 - 输入偏移： | 1000µV |
| 电流 - 电源： | 1.9mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 44 V，±1.5 V ~ 22 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MC34071,2,4,A MC33071,2,4,A, NCV33072,4,A
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Figure 50. Low Input Voltage Comparator
with Hysteresis
Figure 51. High Compliance Voltage to
Sink Current Converter
Figure 52. High Input Impedance
Differential Amplifier
Figure 53. Bridge Current Amplifier
Figure 54. Low Voltage Peak Detector
Figure 55. High Frequency Pulse
Width Modulation
Vref
R2
VO
VOH
VOL
VinL
VinH
Vref
Hysteresis
Vin
R1
MC34071
VinL =(VOL-Vref)+Vref
R1
R1+R2
VinH =(VOH-Vref)+Vref
VH =(VOH -VOL)
+
-
R1
R1+R
R1
R1+R2
Vin
Iout
R
-
+
Iout =
Vin±VIO
R
1/2
MC34072
-
+
R1
R2
R3
R4
VO
+V1
+V2
R2
R4
R3
R1
(Critical to CMRR)
VO = 1
V2-V1
For (V2
≥ V1), V > 0
=
-
+
R4
R3
R4
R3
-
+
+Vref
RF
VO
RR
R
R =
DR
DR < < R
RF > > R
(VO ≥ 0.1 V)
RF
VO = Vref
DR RF
2R2
-
+
Vin
RL
VP
10,000 pF
VO = Vin (pk)
+
VP
t
-
+
VP
t
Iout
VP
+
-
0
+
ISC
Base Charge
Removal
±IB
V+
47 k
100 k
C
R
Pulse Width
Control Group
OSC
Comparator
High Current
Output
fOSC ^
V
0.85
RC
-
100 k
IB
MC34071
1/2
MC34072
1/2
MC34072
1/2
MC34072
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NCV33152DR2 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCV33152DR2G | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCV33161 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Universal Voltage Monitors |
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