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参数资料
| 型号： | NCV8403ADTRKG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR LOW SIDE TEMP/CURR DPAK-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | * |
NCV8403, NCV8403A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
1000
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
1
10
100
100
10
100
100
L (mH)
Figure 2. Single Pulse Maximum Switch ? off
Current vs. Load Inductance
1000
L (mH)
Figure 3. Single ? Pulse Maximum Switching
Energy vs. Load Inductance
T Jstart = 25 ° C
10
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
T Jstart = 150 ° C
1
1
10
100
1
10
TIME IN CLAMP (ms)
Figure 4. Single Pulse Maximum Inductive
Switch ? off Current vs. Time in Clamp
TIME IN CLAMP (ms)
Figure 5. Single ? Pulse Maximum Inductive
Switching Energy vs. Time in Clamp
25
6V
7V
8V
9V
20
V DS = 10 V
? 40 ° C
20
10 V
15
25 ° C
15
10
5
T a = 25 ° C
5V
4V
3V
V GS = 2.5 V
10
5
100 ° C
150 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V DS (V)
Figure 6. On ? state Output Characteristics
http://onsemi.com
4
V GS (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MP-3526/27N-BLACK | HOOK&LOOP 1"X4.9YD BLK ADHESIVE |
| RM-3.315S | CONV DC/DC 0.25W 3.3VIN 15VOUT |
| ESM06DRXH | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
| SJ3000 1"X50YD BLACK | RECLOSABLE FASTENER 1"X50YD BLK |
| EBC06DRXI-S734 | CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8403ASTT1G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8403ASTT3G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8403DTRKG | 功能描述:MOSFET 42V 14A SINGLE N CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8403STT1G | 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8403STT3G | 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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