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参数资料
| 型号： | NCV8403ADTRKG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR LOW SIDE TEMP/CURR DPAK-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | * |
NCV8403, NCV8403A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
150
125
100
PCB Cu thickness, 1.0 oz
150
125
100
75
50
PCB Cu thickness, 2.0 oz
75
50
PCB Cu thickness, 1.0 oz
PCB Cu thickness, 2.0 oz
25
0
100
200
300
400
500
600
700
800
25
0
100
200
300
400
500
600
700
800
1000
COPPER HEAT SPREADER AREA (mm 2 )
Figure 20. R q JA vs. Copper Area ? SOT ? 223
COPPER HEAT SPREADER AREA (mm 2 )
Figure 21. R q JA vs. Copper Area ? DPAK
100
10
1
0.1
0.01
50% Duty Cycle
20%
10%
5%
2%
1%
Single Pulse
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 22. Transient Thermal Resistance ? SOT ? 223 Version
100
50% Duty Cycle
10
1
0.1
0.01
20%
10%
5%
2%
1%
Single Pulse
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 23. Transient Thermal Resistance ? DPAK Version
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCV8403ASTT3G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NCV8403STT1G | 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8403STT3G | 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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