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参数资料
| 型号： | NCV8403ADTRKG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR LOW SIDE TEMP/CURR DPAK-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | * |
NCV8403, NCV8403A
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
RL
VIN
RG
D
G DUT
VDD
+
?
S
IDS
Figure 24. Resistive Load Switching Test Circuit
90%
VIN
td(ON)
tr
td(OFF)
10%
IDS
tf
Figure 25. Resistive Load Switching Waveforms
http://onsemi.com
8
90%
10%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MP-3526/27N-BLACK | HOOK&LOOP 1"X4.9YD BLK ADHESIVE |
| RM-3.315S | CONV DC/DC 0.25W 3.3VIN 15VOUT |
| ESM06DRXH | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
| SJ3000 1"X50YD BLACK | RECLOSABLE FASTENER 1"X50YD BLK |
| EBC06DRXI-S734 | CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8403ASTT1G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8403ASTT3G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8403DTRKG | 功能描述:MOSFET 42V 14A SINGLE N CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8403STT1G | 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8403STT3G | 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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