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参数资料
| 型号： | NDB6020P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 12A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1590pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDB6020PDKR |
Electrical Characteristics (T C = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV DSS
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate - Body Leakage, Forward
Gate - Body Leakage, Reverse
V GS = 0 V, I D = -250 μA
V DS = -16 V, V GS = 0 V
V GS = 8 V, V DS = 0 V
V GS = -8 V, V DS = 0 V
T J = 55°C
-20
-1
-10
100
-100
V
μA
μA
nA
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = -250 μA
-0.4
-0.7
-1
V
T J = 125°C
-0.3
-0.56
-0.7
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = -4.5 V, I D = -12 A
0.041
0.05
?
T J = 125°C
0.06
0.08
R DS(ON)
R DS(ON)
I D(on)
g FS
Static Drain-Source On-Resistance
Static Drain-Source On-Resistance
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = -2.7 V, I D = -10 A
V GS = -2.5 V, I D = -10 A
V GS = -4.5 V, V DS = -5 V
V DS = -5 V, I D = -12 A
-24
0.059
0.064
14
0.07
0.075
A
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = -10 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
1590
725
215
pF
pF
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 1)
t D(on)
t r
t D(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn - On Delay Time
Turn - On Rise Time
Turn - Off Delay Time
Turn - Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = -20 V, I D = -3 A,
V GS = -5 V, R GEN = 6 ?
V DS = -10 V,
I D = -24 A, V GS = -5 V
15
27
120
70
25
5
10
30
60
250
150
35
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
NDP6020P Rev.C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 194-5MST | SWITCH SIDE ACTUATED GOLD 5 SEC |
| NTLJS3113PT1G | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN |
| 194-6MST | SWITCH SIDE ACTUATED GOLD 6 SEC |
| 194-2MST | SWITCH SIDE ACTUATED GOLD 2 SEC |
| 209-6LPST | SWITCH SPST AUTO 6 SEC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB6020P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB603 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB6030 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB6030L | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB6030PL | 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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