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参数资料
| 型号： | NDB6020P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 12A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1590pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDB6020PDKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
1.08
20
1.06
I D = -250μA
10
4
1
V GS = 0V
T J = 125°C
1.04
25°C
1.02
1
0.98
0 .1
0 .0 1
0 .0 0 1
-55°C
0.96
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
150
175
0 .0 0 0 1
0
0 .2 0 .4 0.6 0 .8 1
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1 .2
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature .
4000
8
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature .
3000
I
D
= -24A
V DS = -5V
2000
Cis s
6
-15V
-10V
1000
500
C oss
4
300
200
f = 1 MHz
C rss
2
V GS = 0 V
100
0 .1
0 .2
-V
DS
0 .5 1 2 5
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
20
0
0
10
Q
g
20
, GATE CHARGE (nC)
30
40
Figure 9. Capacitance Characteristics .
Figure 10. Gate Charge Characteristics .
-V DD
t on
t off
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V IN
R L
90%
90%
V GS
R GEN
G
D
DUT
V OUT
V O U T
10%
10%
90%
S
V IN
10%
50%
PULSE WIDTH
50%
INVERTED
Figure 11. Switching Test Circuit .
Figure 12. Switching Waveforms .
NDP6020P Rev.C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 194-5MST | SWITCH SIDE ACTUATED GOLD 5 SEC |
| NTLJS3113PT1G | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN |
| 194-6MST | SWITCH SIDE ACTUATED GOLD 6 SEC |
| 194-2MST | SWITCH SIDE ACTUATED GOLD 2 SEC |
| 209-6LPST | SWITCH SPST AUTO 6 SEC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB6020P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB603 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB6030 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB6030L | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB6030PL | 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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