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参数资料
| 型号： | NDD03N50Z-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET IPAK-3 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 欧姆 @ 1.15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 274pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 58W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDD03N50Z-1G-ND NDD03N50Z-1GOS |
NDD03N50Z
100
10
1
0.1
0.01
V GS v 30 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s 10 m s
1 ms
10 ms
dc
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area NDD03N50Z
10
1
0.1
50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
5%
2%
1%
SINGLE PULSE
R q JC = 2.2 ° C/W
Steady State
0.01
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Impedance (Junction ? to ? Case) for NDD03N50Z
100
10 50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
1
5.0%
2.0%
1.0%
0.1
R q JA = 41 ° C/W
0.01
1E ? 06
SINGLE PULSE
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
Steady State
1E+02
1E+03
PULSE TIME (s)
Figure 14. Thermal Impedance (Junction ? to ? Ambient) for NDD03N50Z
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NDD03N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 |
| NDD03N60Z-1G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 600V 2.6A 3.6R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD03N60ZT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 2.6A 3.6R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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