- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18656 > NDD03N60ZT4G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 600V DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NDD03N60ZT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 312pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 61W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDD03N60ZT4GOSDKR |
NDF03N60Z, NDD03N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
4.0
4.0
3.5
7.0 V
3.5
V DS = 25 V
3.0
2.5
2.0
1.5
V GS = 10 V
6.0 V
6.5 V
3.0
2.5
2.0
1.5
T J = 25 ° C
1.0
5.5 V
1.0
T J = 150 ° C
0.5
0.0
0.0
5.0
10.0
15.0
5.0 V
20.0
25.0
0.5
0.0
3
4
5
T J = ? 55 ° C
6 7
8
9
10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
5.00
4.75
4.50
4.25
I D = 1.2 A
T J = 25 ° C
5.00
4.75
4.50
4.25
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
4.00
4.00
3.75
3.50
3.75
3.50
3.25
3.25
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
3.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain
Current and Gate Voltage
2.50
2.25
2.00
I D = 1.2 A
V GS = 10 V
1.15
1.10
I D = 1 mA
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
1.05
1.00
0.95
0.90
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. BV DSS Variation with Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XMLHVW-Q2-0000-0000HS4E6 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| CLA1B-WKW-XD0F0E13 | CREE PLCC4 SMD LED WHITE |
| XMLHVW-Q2-0000-0000HS4F6 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| XRCWHT-L1-R250-009E4 | LED NEUTRAL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| XREWHT-L1-0000-X07E6 | LED WARM WHITE 7X9MM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDD03N80Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N.Channel Power MOSFET |
| NDD03N80Z-1G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD03N80ZT4G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD04N50Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 |
| NDD04N50Z-1G | 功能描述:MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。