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参数资料
| 型号： | NDD03N60ZT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 312pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 61W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDD03N60ZT4GOSDKR |
NDF03N60Z, NDD03N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
700
650
600
550
500
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
T J = 150 ° C
450
400
1.0
350
300
250
200
C iss
0.10
0
T J = 125 ° C
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
150
100
50
0
0
C rss
5
10
15
C oss
20
25
30
35
40
45
50
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
15.0
14.0
13.0
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
Q GS
V DS
Q T
Q GD
V GS
350
300
250
200
150
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
V DS = 300 V
I D = 3 A
T J = 25 ° C
100
50
0.0
0
1
2
3 4 5 6 7 8 9 10
11
0
12
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
V DD = 300 V
I D = 3 A
V GS = 10 V
10.0
100
10.0
t d(off)
t r
t f
t d(on)
1.0
T J = 150 ° C
125 ° C
25 ° C
? 55 ° C
1.0
0.1
1
10
100
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
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PDF描述 |
|---|---|
| XMLHVW-Q2-0000-0000HS4E6 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDD03N80Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N.Channel Power MOSFET |
| NDD03N80Z-1G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD03N80ZT4G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD04N50Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 |
| NDD04N50Z-1G | 功能描述:MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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