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参数资料
| 型号： | NDD03N60ZT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 312pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 61W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDD03N60ZT4GOSDKR |
NDF03N60Z, NDD03N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
100
10
V GS v 30 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
10 m s
10
V GS v 30 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
10 m s
1
0.1
dc
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1
0.1
dc
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1 10 100
1000
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1 10 100
1000
10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area NDD03N60Z
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area NDF03N60Z
1
0.1
50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
SINGLE PULSE
R q JA = 2 ° C/W
Steady State
0.01
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02 1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
PULSE TIME (s)
Figure 14. Thermal Impedance (Junction ? to ? Case) for NDD03N60Z
100
10 50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
1
5.0%
2.0%
1.0%
0.1
R q JA = 40 ° C/W
0.01
1E ? 06
SINGLE PULSE
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
Steady State
1E+02
1E+03
PULSE TIME (s)
Figure 15. Thermal Impedance (Junction ? to ? Ambient) for NDD03N60Z
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NDD03N80Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N.Channel Power MOSFET |
| NDD03N80Z-1G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD03N80ZT4G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD04N50Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 |
| NDD04N50Z-1G | 功能描述:MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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