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参数资料
| 型号： | NDS0605 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 79pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS0605DKR |
Typical Characteristics
1.4
1.2
1
V GS =-10V
-6.0V
-4.5V
-4.0V
-3.5V
2.2
2
1.8
V GS =-3.0V
0.8
1.6
-3.5V
0.6
-3.0V
1.4
-4.0V
-4.5V
0.4
1.2
-6.0V
0.2
0
-2.5V
1
0.8
-10V
0
1
2
3
4
5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.8
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
5
1.6
I D = -0.5A
V GS = -10V
4
I D = -0.25A
1.4
1.2
1
0.8
0.6
3
2
1
T A = 25 o C
T A = 125 o C
0.4
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
125
150
0
2
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
1.2
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
1
V DS = -10V
T A = -55 o C
25 o C
1
V GS = 0V
0.8
0.6
125 o C
0.1
T A = 125 o C
25 o C
0.01
0.4
-55 o C
0.2
0
0.001
0.0001
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
NDS0610 Rev B1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS0605 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
| NDS0605_D87Z | 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS0605_Q | 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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